簡要描述：Optodiode光電二極管：多元件和陣列探測器光電二極管提供標準和自定義配置的多元件或陣列探測器，以緊湊的封裝提供我們的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)勢。
產(chǎn)品型號： UVG100
所屬分類：光電探測器陣列
更新時間：2024-12-17
Opto Diode紫外增強光電探測器，適用于波段190-400nm檢測
紫外光電二極管UVG因為大多數(shù)是圓形，因此又可以稱為紫外增強型圓形光電探測器，適用于190-400nm檢測。產(chǎn)品在紫外線波段內(nèi)有增強，具有出色的響應(yīng)。紫外光電二極管UVG100在190-400nm下典型的光子響應(yīng)是0.08-0.20A/W，在IR=1µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是5V，典型值是10V。在VR=0V測試條件下，電容的典型值是1nF，最大值是3 nF。在VR=10V, RL=50 Ω測試條件下，上升時間是10μs。
Opto Diode紫外光電探測器
紫外光電二極管UVG在寬溫度范圍內(nèi)具有穩(wěn)定的響應(yīng)性，在190nm至400nm的紫外光照射下具有長壽命。Opto Diode紫外增強型光電探測器適用于各種各樣的應(yīng)用，包括UV-A、UV-B、UV-C激光器的激光監(jiān)測。
UVG100 ODD-UVG-002大方形紫外增強型光電探測器(190-400nm)100mm2
UVG12 ODD-UVG-014紫外增強型圓形光電探測器(190-400nm)12mm2
UVG20C ODD-UVG-004紫外增強型圓形光電探測器(190-400nm) 19mm2
UVG20S ODD-UVG-013紫外增強型圓形光電探測器(190-400nm) 24mm2
UVG5S ODD-UVG-007紫外增強型圓形光電探測器(225-400nm) 5mm2
紫外光電二極管UVG12沒有最大響應(yīng)上限，有效面積是圓形，適用于193-400nm的檢測。在VF=±10mV，分流電阻最小值是100兆歐姆，最大值是1000兆歐姆。在IR=1µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是10V。在VR=0V測試條件下，電容的典型值是3nF，最大值是7nF。
Optodiode紫外增強型光電探測器UVG20C是一個圓形有效面積，非常適用于電子檢測，擁有100%的內(nèi)部效率，TO-8封裝。Opto Diode紫外光電探測器UVG20C有效面積是19mm2，在VR=13V測試條件下，暗電流是30nA。
Optodiode紫外增強型光電探測器UVG20S是一個圓形有效區(qū)域，非常適合190-400nm檢測，100內(nèi)部效率，環(huán)氧樹脂粘結(jié)的UV石英玻璃窗。
Opto Diode紫外光電探測器UVG5S有效面積是5mm2，帶UV玻璃窗的焊接帽，非常適用于225-400nm檢測。
Optodiode紫外增強型光電探測器特點：
-方形、圓形有效區(qū)域
-適用于190-400nm檢測
-100%內(nèi)部QE
-有效面積5-100mm2
Opto Diode光電二極管陣列，電子檢測的理想選擇
Opto Diode提供標準和定制配置的多元素或陣列探測器，以緊湊的封裝提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)點
Opto Diode光電二極管陣列有兩種型號，采用40針雙列式封裝或者22針雙列式封裝，是電子檢測的理想選擇。有保護性蓋板，以保護光電二極管陣列和導(dǎo)線連接。波威Opto Diode光電探測器陣列可以在紫外、可見、近紅外光中進行響應(yīng)，從典型的紫外-可見-近紅外光子響應(yīng)性圖中可以看到靈敏度小于0.5A/W。
光電二極管陣列有效面積分別是3mm2和10mm2，AXUV16ELG光電二極管陣列是16個元件光電二極管陣列，AXUV20ELG多元素陣列是20個元素的陣列。光電二極管陣列儲存和工作溫度范圍在外界下是-10°C~40°C，在氮氣和真空下溫度是-20°C~80°C，引線焊接的溫度是260°C。超過這些參數(shù)的溫度可能會在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長。隨著時間的推移，對低能量輻射和150納米以下波長的響應(yīng)性將受到影響。距離外殼0.080英寸，持續(xù)10秒。發(fā)貨時帶有臨時蓋子，以保護Opto Diode光電探測器陣列和導(dǎo)線連接。在拆除蓋子之前，請查看應(yīng)用說明 "AXUV、SXUV和UVG檢測器的處理注意事項"。
AXUV16ELG光電二極管陣列的特點,
- 40針雙列式封裝
- 是電子檢測的理想選擇
- 保護性蓋板
在25°C時的電光特性
AXUV16ELG光電二極管陣列在2mmx5mm的測試條件下，有效面積的典型值是10mm2。當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓典型值是25V。VR=0V時，電容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V測試條件下，上升時間典型值為500納秒。在Vf=±10mV測試條件下時，每個元件的分流電阻值是100歐姆。
AXUV20ELG光電探測器陣列的特點
- 22針雙列式封裝
- 是電子檢測的理想選擇
- 保護性蓋板3
AXUV20ELG光電探測器陣列在0.75mmx4.1mm的測試條件下，有效面積的典型值是3mm2，靈敏度見圖，當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓典型值是25V，最小值是20V。VR=0V時，電容,最大值是1nF。VR=0V測試條件下，上升時間典型值為200納秒。在Vf=±10mV測試條件下時，每個元件的分流電阻值是100歐姆。
美國Optodiode光電二極管：多像元和陣列探測器
光電二極管提供標準和自定義配置的多元件或陣列探測器，以緊湊的封裝提供我們的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)勢。
AXUV16ELG ODD-AXU-023 16 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection
AXUV20ELG ODD-AXU-033 20 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection
AXUV16ELG ODD-AXU-023 16元件光電二極管陣列是電子探測的理想選擇
AXUV20ELG ODD-AXU-033 20元件光電二極管陣列是電子探測的理想選擇
Optodiode光電二極管：電子、光子、X射線探測器（AXUV）
AXUV系列探測器的特點是對0.0124nm至190nm的光子、電子或X射線進行高性能測量，并檢測100eV至50keV的能量。
型號 描述
AXUV100G ODD-AXU-010 Large Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20A ODD-AXU-026 Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20HS1 ODD-AXU-036 High Speed Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV300C ODD-AXU-082 Large Rectangular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV576C ODD-AXU-048 Large Square Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 High Speed Circuclar Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 High Speed Circular Photodiode with Center Hole Ideal for Radiation Detection
AXUV100G ODD-AXU-010 大型光電二極管是輻射檢測的理想選擇
AXUV20A ODD-AXU-026 圓形光電二極管是輻射探測的理想選擇
AXUV20HS1 ODD-AXU-036 高速環(huán)形光電二極管是輻射探測的理想選擇
AXUV300C ODD-AXU-082 大型矩形光電二極管是輻射探測的理想選擇
AXUV576C ODD-AXU-048 大型方形光電二極管是輻射探測的理想選擇
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 高速環(huán)形光電二極管，輻射探測的理想選擇
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 帶中心孔的高速圓形光電二極管是輻射探測的理想選擇
光電二極管：EUV增強型探測器（SXUV）
SXUV系列極紫外（EUV）增強型探測器具有好的13.5nm光刻能力，在1nm至190nm的極紫外曝光中具有穩(wěn)定的響應(yīng)度，是關(guān)鍵的EUV光測量的理想選擇。
SXUV100 ODD-SXU-001 Large EUV Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV Low Noise Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20HS1 ODD-SXU-004 High Speed EUV Photodetector (1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044 Large EUV High Speed Ceramic Package Photodetector (1nm-190nm)
SXUV5 ODD-SXU-008 High Speed EUV Photodetector (1nm-90nm)
SXUV100 ODD-SXU-001大型EUV光電探測器（1nm-190nm）
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV低噪聲光電探測器（1nm-190nm）
SXUV20HS1 ODD-SXU-004高速EUV光電探測器（1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044大型EUV高速陶瓷封裝光電探測器（1nm-190nm）
SXUV5 ODD-SXU-008高速EUV光電探測器（1nm-90nm）
光電二極管：集成薄膜、封裝和濾光器組件
光電二極管生產(chǎn)集成薄膜濾波器，用于檢測太陽EUV輻射、軟x射線輻射測量、x射線和EUV光刻、x射線顯微鏡和XUV光譜。我們還生產(chǎn)濾光窗、日光濾光器和多波長封裝組件。
AXUV100TF030 ODD-AXU-019 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF400 ODD-AXU-002 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
SXUV100TF135 ODD-SXU-003 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF030 ODD-AXU-019直接沉積薄膜濾光片光電二極管具有直接沉積薄膜濾光片
AXUV100TF400 ODD-AXU-002光電二極管
SXUV100TF135 ODD-SXU-003直接沉積薄膜濾光片光電二極管
